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中山大学选用delta掺杂技能进步氮化物LED的抗静电才能

时间:2018-09-15编辑: admin 点击率:

  中山大学选用delta掺杂技能进步氮化物LED的抗静电才能

  日前,中山大学光电资料国家重点实验室的研究人员表明,其选用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层,显着进步了氮化物LED的抗静电才能,此改进是因外延GaN资料晶体质量的改进和器材电流扩大的进步引起。

  Delta掺杂技能是在保持氨气流量不变的情况下,经过选择性翻开或许封闭三甲基镓和硅烷来完成。选用delta掺杂技能后,LED器材的ESD值从1200伏进步到4000伏以上,并且电功率也显着增大,350mA作业电流下,输出功率进步了12.8%。

  一起,delta掺杂层有用下降了GaN资猜中的位错密度,使位错密度从7x107/cm2下降到了3x106/cm2,位错密度的下降使LED反向漏电下降一个数量级,因此增强抗静电才能。

  此外,下载凯时娱乐,经过红外显微镜对LED热功能的测验,发现delta掺杂后的LED具有更均匀的电流分散,因此下降了器材的电流密度,因此进步了抗静电才能。

 

  

   LED抗静电LED器材

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