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详解LED外延芯片工艺流程及晶片分类

时间:2018-10-13编辑: admin 点击率:

  详解LED外延芯片工艺流程及晶片分类

   近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研讨的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD 的使用无不说明晰III-V 族元素所蕴藏的潜能。

  在现在商品化LED 之资料及其外延技能中,环亚娱乐ag88真人版,赤色及绿色发光二极管之外延技能大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管现在仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 资料为主。

  一般来说,GaN 的成长需要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解,别的一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO Gas 会进行反响发作没有挥发性的副产物。

  LED 外延片工艺流程如下:

  衬底 - 结构规划- 缓冲层成长- N型GaN 层成长- 多量子阱发光层生- P 型GaN 层成长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;

  外延片- 规划、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级

  详细介绍如下:

  固定:将单晶硅棒固定在加工台上。

  切片:将单晶硅棒切成具有准确几许尺度的薄硅片。此进程中发作的硅粉采用水淋,发作废水和硅渣。

  退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片外表和氧气发作反响,使硅片外表构成二氧化硅保护层。

  倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,避免硅片边际决裂及晶格缺点发作,添加磊晶层及光阻层的平整度。此进程中发作的硅粉采用水淋,发作废水和硅渣。

  分档检测:为确保硅片的标准和质量,对其进行检测。此处会发作废品。

  研磨:用磨片剂除掉切片和轮磨所造的锯痕及外表损害层,有用改进单晶硅片的曲度、平整度与平行度,到达一个抛光进程能够处理的标准。此进程发作废磨片剂。

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